КРЕЯМЕР, ГЕРБЕРТ

КРЁМЕР, ГЕРБЕРТ (Kroemer, Herbert) (р. 1928), американский физик немецкого происхождения. Родился 25 августа 1928 в Веймаре (Германия) в семье служащего. В 1935 Герберт поступил в гимназию; почти все его обучение пришлось на войну и послевоенные годы, и главной проблемой пытливого школьника оказались не предметы гимназического курса – он всегда был отличником, а в математике и физике был даже сильнее своего преподавателя и помогал ему готовиться к занятиям – но «Дисциплина! Не будь я отличником, – писал он в своей автобиографии, – меня бы неминуемо выгнали».

В 1947 Крёмер поступил в Йенский университет, где испытал сильное влияние спектроскописта Ф.Хунда, которого он называет блистательным лектором. Однако в начале 1948 политические репрессии в Восточной Германии усилились; особенно неожиданным для Крёмера было наступление на традиционные университетские свободы. «Каждую неделю кто-то из моих сокурсников бесследно исчезал, и нельзя было узнать, подался ли он на Запад или угодил в немецкий «филиал» сталинского ГУЛАГа – например, в урановые рудники на границе с Чехословакией». В этих условиях Крёмер нашел способ бежать в Западный Берлин, и с помощью А.Кёнига и В.Паули (впоследствии Нобелевского лауреата 1989) поступил в Гёттингенский университет. Здесь его наставником стал ученик А.Зоммерфельда профессор Ф.Сойтер, требовавший, подобно своему учителю, глубокого физического понимания изучаемого явления и его четкого математического описания. Темой дипломной работы Крёмера стало исследование одномерных потенциалов – по существу, развитие работы У.Шокли, опубликованной в 1939. Крёмер изучал взаимодействие двух периодических потенциалов на границе двух сред с разными электрическими свойствами – это был его первый «подход» к проблеме гетерофазных структур.

Работая над дипломным проектом, Крёмер обсуждал с Сойтером одну из фундаментальных работ Бардина и Бриттена О физических принципах работы транзисторов и высказал свое мнение по ряду вопросов, которые были в ней поставлены, но не решены. И неожиданно Сойтер предложил ему прервать дипломную работу, защитить то, что он уже написал, и незамедлительно начать работать над докторской диссертацией, темой которой и должны были стать эти нерешенные вопросы. Вот почему Крёмер защитил свою докторскую, когда ему не исполнилось еще и 24 лет – «великолепно даже для теоретика!»

В 1952 в Германии «рынка труда» для физика-теоретика не существовало, и Крёмер поступил на работу в Центральную лабораторию телекоммуникаций Почтовой службы Германии. Его обязанностью было разрешать все возникающие теоретические проблемы. Кроме того, раз в одну-две недели он должен был в течение часа-двух рассказывать коллегам о любом предмете, по собственному выбору, однако таком, который был бы полезен слушателям. И еще он должен был «размышлять над любой проблемой, которую счел бы достойной размышлений». Он и размышлял – и именно в эти годы сделал свои основополагающие работы. В 1954 он опубликовал статью, содержащую самые первые соображения о биполярных транзисторах на гетероструктурах, и в том же году он был приглашен на работу в телерадиокомпанию RCA в Принстоне (США). Сначала его экспериментальные исследования в Америке успехом не увенчались. Он пытался разработать транзистор с германиевой базой и эмиттером из Ge/Si. Однако теоретические изыскания тех лет сам он считает плодотворными – он ввел представление о квазиэлектрических полях, которое считает фундаментальным принципом разработки гетероструктур.

В 1963 в Пало-Альто, Калифорния, где Крёмер работал ассистентом, был организован коллоквиум, посвященный проблемам создания полупроводникового лазера. Собравшиеся были убеждены, что получить непрерывную инверсную заселенность при комнатной температуре невозможно из-за диффузии носителей по обе стороны гетероперехода. Но Крёмер предложил защитить гетеропереход другими полупроводниковыми структурами с более широкой запрещенной зоной. По иронии судьбы Крёмер не участвовал в осуществлении своей идеи. В 1968 он перешел в университет штата Колорадо и 1970-е годы посвятил изучению так называемых квантовых стенок – гетероструктур со специально разработанными запрещенными зонами. Однако в конце 1970-х он вернулся к полупроводниковым приборам на гетероструктурах.

Крёмер является почетным доктором ряда университетов, ему присуждены многочисленные научные награды. В 1973 он был удостоен Эберсовской премии Американского института инженеров-электриков (IEEE), в 1982 – Велькеровской медали Международного симпозиума по GaAs, в 1986 – премии Мортона IEEE, в 1994 – Гумбольдтовской премии и в 2000 – Нобелевской премии по физике – совместно с Ж.А.Алферовым и Дж. Килби (США) – «за достижения в электронике».

В настоящее время Крёмер работает в Университете штата Калифорния в Санта-Барбара. Его научные интересы сосредоточены на «сверхгетероструктурах»: он участвует в разработке полупроводников, являющихся токоподводами для сверхпроводниковых электродов.